Modèle de Produit

PSMN4R1-60YL

Introduction

Il s'agit d'un circuit intégré spécialisé conçu pour des applications de gestion de puissance haute performance.

Marque et Fabricant

NXP Semiconductors

Caractéristiques

Faible résistance à l'état passant, vitesse de commutation rapide, optimisé pour une conversion de puissance à haute efficacité, haute performance thermique, oxyde de grille robuste.

Performance du Produit

Excellentes caractéristiques de conduction et de commutation, haute efficacité énergétique, fonctionnement stable à haute fréquence, bon comportement thermique pour une fiabilité accrue, réduction des pertes d'énergie dans les systèmes de puissance.

Spécifications Techniques

Tension drain-source de 60V (Vds), résistance à l'état passant drain-source de 4,1mΩ (Rds(on)), courant drain continu (Id) à 25°C.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier standard TO-220, montage à trous traversants, forme rectangulaire.

Qualité et Fiabilité

Processus de contrôle qualité rigoureux, conçu conformément aux normes de fiabilité de l'industrie, temps moyen entre pannes (MTBF) élevé.

Avantages du Produit

Densité de puissance améliorée, facilité d'intégration, adapté aux conditions environnementales difficiles.

Compétitivité du Produit

Offre de haute performance au sein du portefeuille NXP, concurrence avec d'autres MOSFET de puissance en termes d'efficacité et de fiabilité.

Compatibilité

Compatible avec les circuits de régulation de puissance typiques, adaptable à diverses configurations de PCB.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes internationales pour les réglementations électriques et de sécurité, conforme RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle, contribue à la durabilité des produits finaux en réduisant les pertes d'énergie.

Champs d'Application Réels

Unités d'alimentation, systèmes de gestion de batterie, convertisseurs DC-DC, systèmes de contrôle de moteur, électronique automobile.

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